[发明专利]微电子结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201610293503.1 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107346787A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种微电子结构及其形成方法。该微电子结构的形成方法，包括在一衬底上原位形成一石墨烯层，此石墨烯层包括至少一层石墨烯结构，且具有大于300meV的能隙，形成一第一绝缘层，使石墨烯层与衬底之间以第一绝缘层间隔，在石墨烯层上形成一第二绝缘层，且在第二绝缘层上形成一第一电极、一第二电极及一第三电极，使第一电极及第二电极直接接触石墨烯层的两端，第三电极与石墨烯层之间以第二绝缘层间隔。由此获得的微电子结构应用高能隙的石墨烯材料，可提升其电子特性。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子结构，其特征在于，包括：一衬底，其上形成一石墨烯层、一第一电极、一第二电极及一第三电极，其中，该第一电极及该第二电极直接接触该石墨烯层的两端，该石墨烯层与该衬底之间以一第一绝缘层间隔，该第三电极与该石墨烯层之间以一第二绝缘层间隔，且该石墨烯层具有大于300meV的能隙。
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