[发明专利]微电子结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201610293503.1 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107346787A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微电子 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种微电子结构，其特征在于，包括：
一衬底，其上形成一石墨烯层、一第一电极、一第二电极及一第三电极，其中，该第一电极及该第二电极直接接触该石墨烯层的两端，该石墨烯层与该衬底之间以一第一绝缘层间隔，该第三电极与该石墨烯层之间以一第二绝缘层间隔，且该石墨烯层具有大于300meV的能隙。
2.如权利要求1所述的微电子结构，其特征在于，该石墨烯层包括至少一层石墨烯结构。
3.如权利要求1所述的微电子结构，其特征在于，该第一电极、该第二电极及该第三电极均是金属电极。
4.如权利要求1所述的微电子结构，其特征在于，该第一绝缘层是该衬底的氧化物，该第二绝缘层是高介电质薄膜。
5.如权利要求1所述的微电子结构，其特征在于，该微电子结构是一双栅极场效晶体管，该第一电极、该第二电极及该第三电极分别为源极、漏极和第一栅极，该衬底为第二栅极。
6.一种微电子结构的形成方法，其特征在于，包括：
在一衬底上原位形成一石墨烯层，该石墨烯层包括至少一层石墨烯结构，且具有大于300meV的能隙；
氧化形成一第一绝缘层，使该石墨烯层与该衬底之间以该第一绝缘层间隔；
在该石墨烯层上形成一第二绝缘层；以及
在该第二绝缘层上形成一第一电极、一第二电极及一第三电极，使该第一电极及该第二电极直接接触该石墨烯层的两端，该第三电极与该石墨烯层之间以该第二绝缘层间隔。
7.如权利要求6所述的微电子结构的形成方法，其特征在于，在原位形成该石墨烯层之前还包括一清洁步骤，该清洁步骤清洁该衬底上预定原位形成该石墨烯层的一表面。
8.如权利要求7所述的微电子结构的形成方法，其特征在于，该清洁步骤是使用臭氧清洁。
9.如权利要求7所述的微电子结构的形成方法，其特征在于，该清洁步骤 是使用SiCoNi预清洁处理。
10.如权利要求6所述的微电子结构的形成方法，其特征在于，该第一绝缘层是藉由使氧气通过石墨烯层，氧化该衬底而形成。
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