[发明专利]具有接触插塞的半导体器件

摘要

本公开提供了具有接触插塞的半导体器件。一种半导体器件包括合并的接触插塞。具有N个子鳍的多鳍有源区形成在基板中。杂质区域形成在子鳍上。具有比多鳍有源区小的水平宽度的接触插塞形成在杂质区域中。N是在约八(8)至约一千(1000)的范围内的整数。N个子鳍包括形成在多鳍有源区的最外部中的第一子鳍和靠近第一子鳍形成的第二子鳍。垂直于基板的表面并穿过接触插塞的虚拟底边缘的直线设置在第一子鳍和第二子鳍之间，或者穿过第二子鳍。接触插塞的虚拟底边缘限定在接触插塞的侧表面上延伸的相关线和与接触插塞的最下端接触且平行于基板的表面的水平线的交叉点处。

主权项

一种半导体器件，包括：多鳍有源区，包括在基板中的N个子鳍；杂质区域，在所述子鳍上；以及接触插塞，在所述杂质区域上，具有比所述多鳍有源区小的水平宽度，其中所述N个子鳍包括在所述多鳍有源区的最外部中的第一子鳍和靠近所述第一子鳍的第二子鳍，并且垂直于所述基板的表面且穿过所述接触插塞的虚拟底边缘的直线设置在所述第一子鳍和所述第二子鳍之间，或穿过所述第二子鳍，并且其中所述接触插塞的所述虚拟底边缘限定在所述接触插塞的侧表面上延伸的相关线和与所述接触插塞的最下端接触且平行于所述基板的表面的水平线的交叉点处。