[发明专利]高通量组合制备VO2薄膜的设备及方法有效
申请号: | 201610284230.4 | 申请日: | 2016-05-04 |
公开(公告)号: | CN106119809B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 曹传祥;罗宏杰;高彦峰 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/448;C23C16/455 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种高通量组合制备VO2薄膜的设备及方法,该设备包括氮气输送装置、氮氧混合气输送装置、钒源加热升华装置、掺杂剂加热升华装置、混合装置等,该设备可实现多种厚度组合,有利于覆盖广泛的材料组分、结构参数空间,同时还能够实现用于合成材料样品的多种物料的分子级混合,有利于组合材料样品中单一子样品内部组分均匀分布。制备产物的合成反应可通过调整气体输送量和前驱体剂量以控制产物的粒径,通过调控挡板的孔径以控制VO2薄膜厚度。该方法可以实现VO2薄膜在较小面积基片上的集成,所得组合材料样品的制备薄膜灵活可控,相对于传统材料科学研究手段其样品制备效率可提高数倍。 | ||
搜索关键词: | 通量 组合 制备 vo sub 薄膜 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高通量组合制备VO2薄膜的设备,其特征在于,其包括氮气输送装置、氮氧混合气输送装置、钒源加热升华装置、掺杂剂加热升华装置、混合装置、沉积装置、第一挡板、第二挡板、第三挡板、第一基片、第二基片、第三基片、第四基片、加热装置、尾气处理装置、气体电磁阀门,氮气输送装置与钒源加热升华装置连接,氮氧混合气输送装置与掺杂剂加热升华装置相连接,钒源加热升华装置、掺杂剂加热升华装置共同与混合装置相连接,第一挡板、第二挡板、第三挡板皆位于沉积装置内部,第一基片位于第一挡板左侧,第二基片位于第一挡板与第二挡板之间,第三基片位于第二挡板与第三挡板之间,第四基片位于第三挡板的右侧,加热装置位于沉积装置下方,尾气处理装置与沉积装置相连接,气体电磁阀门安装于混合装置与沉积装置之间,氮气输送装置、氮氧混合气输送装置组成气体传送装置,钒源加热升华装置、掺杂剂加热升华装置组成前驱体处理装置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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