[发明专利]提高硅晶片外延层表面平整度的方法

摘要

本发明提供了一种提高硅晶片外延层表面平整度的方法，包括将薄圆板状的单晶硅锭的切片依次进行湿法蚀刻、研磨、抛光；采用检测单元检测待处理的硅晶片表面凹凸状况；依据所述凹凸状况的数据，计算并获得硅晶片分区温度控制分布图；依据所述分布图，以分区电阻加热并控制该硅晶基板的温度，并以等离子体干法蚀刻将该硅晶片平坦化；及进行最终抛光；其中，在所述硅晶片表面进行外延以生长外延晶片时，对所得外延晶片片整体表面进行表面平坦度测量，该硅晶片表面平坦度的纳米形貌小于25nm。

主权项

一种提高硅晶片外延层表面平整度的方法，包括：将单晶硅锭切片得到的硅晶片依次进行湿法蚀刻、研磨及抛光；检测待处理的硅晶片表面的凹凸状况；依据所述凹凸状况的数据，计算并获得温度控制的分布图；依据所述分布图，分区加热并分区控制所述硅晶片的温度，并以干法蚀刻进行平坦化；抛光所述硅晶片；以及在所述硅晶片表面形成外延层；其中，对所得外延硅晶片整体表面进行表面平坦度测量，所述外延硅晶片表面平坦度的纳米形貌小于25nm。