[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201610270574.X 申请日: 2016-04-27
公开(公告)号: CN105810693A 公开(公告)日: 2016-07-27
发明(设计)人: 方金钢;宋泳锡;刘凤娟;孙宏达 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李相雨
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置,其中的阵列基板像素区域内:第一栅金属层中的底栅图形、半导体层中的有源区图形、第二栅金属层中的顶栅图形以及源漏金属层中的源极图形和漏极图形形成具有双栅结构的第一晶体管;源极图形或者漏极图形通过第四绝缘层中的第一过孔连接像素电极层中的像素电极图形;像素电极图形还通过第四绝缘层中的第二过孔连接半导体层中的导体化图形;导体化图形分别与两侧的顶栅图形和底栅图形彼此交叠,形成两个相互并联的电容。基于此,本发明可以在不增大亚像素面积的情况下增大驱动晶体管的栅极与源极或漏极之间的存储电容的电容值,有助于提升产品性能、降低产品成本。
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括在衬底基板上依次形成的第一栅金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二栅金属层、第三绝缘层、源漏金属层、第四绝缘层和像素电极层;其中,所述阵列基板的像素区域内:所述第一栅金属层中的底栅图形、所述半导体层中的有源区图形、所述第二栅金属层中的顶栅图形以及所述源漏金属层中的源极图形和漏极图形形成具有双栅结构的第一晶体管;所述源极图形或者所述漏极图形通过所述第四绝缘层中的第一过孔连接所述像素电极层中的像素电极图形;所述像素电极图形还通过所述第四绝缘层中的第二过孔连接所述半导体层中的导体化图形;所述导体化图形分别与两侧的顶栅图形和底栅图形彼此交叠,形成两个相互并联的电容。
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