[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 201610270574.X | 申请日: | 2016-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN105810693A | 公开(公告)日: | 2016-07-27 |
| 发明(设计)人: | 方金钢;宋泳锡;刘凤娟;孙宏达 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置,其中的阵列基板像素区域内:第一栅金属层中的底栅图形、半导体层中的有源区图形、第二栅金属层中的顶栅图形以及源漏金属层中的源极图形和漏极图形形成具有双栅结构的第一晶体管;源极图形或者漏极图形通过第四绝缘层中的第一过孔连接像素电极层中的像素电极图形;像素电极图形还通过第四绝缘层中的第二过孔连接半导体层中的导体化图形;导体化图形分别与两侧的顶栅图形和底栅图形彼此交叠,形成两个相互并联的电容。基于此,本发明可以在不增大亚像素面积的情况下增大驱动晶体管的栅极与源极或漏极之间的存储电容的电容值,有助于提升产品性能、降低产品成本。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括在衬底基板上依次形成的第一栅金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二栅金属层、第三绝缘层、源漏金属层、第四绝缘层和像素电极层;其中,所述阵列基板的像素区域内:所述第一栅金属层中的底栅图形、所述半导体层中的有源区图形、所述第二栅金属层中的顶栅图形以及所述源漏金属层中的源极图形和漏极图形形成具有双栅结构的第一晶体管;所述源极图形或者所述漏极图形通过所述第四绝缘层中的第一过孔连接所述像素电极层中的像素电极图形;所述像素电极图形还通过所述第四绝缘层中的第二过孔连接所述半导体层中的导体化图形;所述导体化图形分别与两侧的顶栅图形和底栅图形彼此交叠,形成两个相互并联的电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





