[发明专利]闪存器件的制造方法

摘要

一种闪存器件的制造方法，包括：图形化硬掩膜层形成贯穿所述硬掩膜层厚度的开口；采用第一刻蚀工艺刻蚀去除位于所述开口下方的第一厚度的浮栅层，其中，依据进行所述第一刻蚀工艺前位于开口下方的浮栅层的初始厚度，确定所述第一刻蚀工艺的刻蚀时长，使得所述第一刻蚀工艺完成后的浮栅层的厚度为固定值；在进行所述第一刻蚀工艺之后，采用第二刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的浮栅层，且还刻蚀去除位于硬掩膜层下方的部分浮栅层，在所述硬掩膜层下方形成浮栅尖端区域，其中，所述第二刻蚀工艺的刻蚀时长为固定时长。本发明提高了形成的浮栅尖端形貌稳定性，使得制造的闪存器件良率得到改善。

主权项

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法以lot为单位或者以wafer为单位进行，包括：提供基底、位于基底上的耦合氧化层、以及位于所述耦合氧化层上的浮栅层；在所述浮栅层上形成硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层形成贯穿所述硬掩膜层厚度的开口；采用第一刻蚀工艺刻蚀去除位于所述开口下方的第一厚度的浮栅层，其中，依据进行所述第一刻蚀工艺前位于开口下方的浮栅层的初始厚度，确定所述第一刻蚀工艺的刻蚀时长，使得第一刻蚀工艺完成后位于所述开口下方的浮栅层的厚度为固定值，且在第一刻蚀工艺完成后，各lot中的开口下方的浮栅层的厚度相等，或者，各wafer中的开口下方的浮栅层的厚度相等；在进行所述第一刻蚀工艺之后，采用第二刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的浮栅层，且还刻蚀去除位于硬掩膜层下方的部分浮栅层，在所述浮栅层内形成浮栅尖端区域，其中，所述第二刻蚀工艺的刻蚀时长为固定时长；刻蚀去除所述硬掩膜层，露出所述浮栅层；刻蚀所述露出的浮栅层直至露出耦合氧化层，在所述浮栅尖端区域所在的位置形成浮栅尖端。