[发明专利]闪存器件的制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法以lot为单位或者以wafer为单位进行，包括：

提供基底、位于基底上的耦合氧化层、以及位于所述耦合氧化层上的浮栅层；

在所述浮栅层上形成硬掩膜层；

图形化所述硬掩膜层形成贯穿所述硬掩膜层厚度的开口；

采用第一刻蚀工艺刻蚀去除位于所述开口下方的第一厚度的浮栅层，其中，依据进行所述第一刻蚀工艺前位于开口下方的浮栅层的初始厚度，确定所述第一刻蚀工艺的刻蚀时长，使得第一刻蚀工艺完成后位于所述开口下方的浮栅层的厚度为固定值，且在第一刻蚀工艺完成后，各lot中的开口下方的浮栅层的厚度相等，或者，各wafer中的开口下方的浮栅层的厚度相等；

在进行所述第一刻蚀工艺之后，采用第二刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的浮栅层，且还刻蚀去除位于硬掩膜层下方的部分浮栅层，在所述浮栅层内形成浮栅尖端区域，其中，所述第二刻蚀工艺的刻蚀时长为固定时长；

刻蚀去除所述硬掩膜层，露出所述浮栅层；

刻蚀所述露出的浮栅层直至露出耦合氧化层，在所述浮栅尖端区域所在的位置形成浮栅尖端。

2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，采用前反馈刻蚀系统进行所述第一刻蚀工艺；在进行所述第一刻蚀工艺之前，量测位于所述开口下方的浮栅层的初始厚度。

3.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺为各向同性的干法刻蚀工艺。

4.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在形成所述硬掩膜层之前，在所述浮栅层上形成阻挡层，且所述阻挡层位于所述浮栅层与所述硬掩膜层之间，所述阻挡层的材料与所述硬掩膜层的材料不同，且所述阻挡层的材料与浮栅层的材料不同；所述开口底部露出所述阻挡层表面。

5.如权利要求4所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在进行所述第一刻蚀工艺之前，还包括步骤：去除所述开口底部露出的阻挡层，直至露出浮栅层表面。

6.如权利要求4所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氧化硅；所述硬掩膜层的材料为氮化硅。

7.如权利要求6所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述开口底部露出的阻挡层，其中，湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液体为氢氟酸溶液。

8.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在图形化所述硬掩膜层形成贯穿所述硬掩膜层的开口的工艺过程中，还刻蚀去除位于所述开口下方的部分厚度的浮栅层。

9.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法以lot为单位进行；在进行所述第一刻蚀工艺之后，各lot中位于开口下方的浮栅层的厚度均为固定值。

10.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在所述第二刻蚀工艺之后、刻蚀所述硬掩膜层之前，还包括步骤：形成覆盖所述开口以及开口下方的浮栅层的第一侧墙膜；采用无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述第一侧墙膜，形成覆盖所述开口侧壁以及浮栅尖端区域侧壁的第一侧墙，所述第一侧墙还位于部分浮栅层上；刻蚀去除相邻第一侧墙露出的浮栅层，暴露出浮栅层侧壁表面；形成覆盖浮栅层侧壁以及第一侧墙侧壁的第二侧墙；在相邻第二侧墙之间填充满源线层。