[发明专利]闪存器件的制造方法

说明书

一种闪存器件的制造方法，包括：图形化硬掩膜层形成贯穿所述硬掩膜层厚度的开口；采用第一刻蚀工艺刻蚀去除位于所述开口下方的第一厚度的浮栅层，其中，依据进行所述第一刻蚀工艺前位于开口下方的浮栅层的初始厚度，确定所述第一刻蚀工艺的刻蚀时长，使得所述第一刻蚀工艺完成后的浮栅层的厚度为固定值；在进行所述第一刻蚀工艺之后，采用第二刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的浮栅层，且还刻蚀去除位于硬掩膜层下方的部分浮栅层，在所述硬掩膜层下方形成浮栅尖端区域，其中，所述第二刻蚀工艺的刻蚀时长为固定时长。本发明提高了形成的浮栅尖端形貌稳定性，使得制造的闪存器件良率得到改善。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种闪存器件的制造方法。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：模拟电路、数字电路和数/模混合电路，其中，存储器件时数字电路中的一个重要类型。而在存储器件中，今年来快闪存储器(Flash Memory，简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息；且具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

闪存器件主要包括栅极叠层(Stack Gate)结构和分栅(Split Gate)结构，其中，分栅结构由于具有更高的编程效率，在擦写功能上可以避免过度擦写问题，因而被广泛运用在各类诸如智能卡、SIM卡、微控制器、手机登电子产品中。

但是，现有技术中的闪存器件的良率有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种闪存器件的制造方法，保证各闪存器件中具有良好且稳定的浮栅尖端形貌，提高半导体工艺制程中形成的闪存器件良率。

为解决上述问题，本发明提供一种闪存器件的制造方法，包括：提供基底、位于基底上的耦合氧化层、以及位于所述耦合氧化层上的浮栅层；在所述浮栅层上形成硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层形成贯穿所述硬掩膜层厚度的开口；采用第一刻蚀工艺刻蚀去除位于所述开口下方的第一厚度的浮栅层，其中，依据进行所述第一刻蚀工艺前位于开口下方的浮栅层的初始厚度，确定所述第一刻蚀工艺的刻蚀时长，使得第一刻蚀工艺完成后位于所述开口下方的浮栅层的厚度为固定值；在进行所述第一刻蚀工艺之后，采用第二刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的浮栅层，且还刻蚀去除位于硬掩膜层下方的部分浮栅层，在所述浮栅层内形成浮栅尖端区域，其中，所述第二刻蚀工艺的刻蚀时长为固定时长；刻蚀去除所述硬掩膜层，露出所述浮栅层；刻蚀所述露出的浮栅层直至露出耦合氧化层，在所述浮栅尖端区域所在的位置形成浮栅尖端。

可选的，采用前反馈刻蚀系统进行所述第一刻蚀工艺；在进行所述第一刻蚀工艺之前，量测位于所述开口下方的浮栅层的初始厚度。

可选的，所述第二刻蚀工艺为各向同性的干法刻蚀工艺。

可选的，在形成所述硬掩膜层之前，在所述浮栅层上形成阻挡层，且所述阻挡层位于所述浮栅层与所述硬掩膜层之间，所述阻挡层的材料与所述硬掩膜层的材料不同，且所述阻挡层的材料与浮栅层的材料不同；所述开口底部露出所述阻挡层表面。

可选的，在进行所述第一刻蚀工艺之前，还包括步骤：去除所述开口底部露出的阻挡层，直至露出浮栅层表面。

可选的，所述阻挡层的材料为氧化硅；所述硬掩膜层的材料为氮化硅。

可选的，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述开口底部露出的阻挡层，其中，湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液体为氢氟酸溶液。

可选的，在图形化所述硬掩膜层形成贯穿所述硬掩膜层的开口的工艺过程中，还刻蚀去除位于所述开口下方的部分厚度的浮栅层。

可选的，所述制造方法以lot为单位进行；在进行所述第一刻蚀工艺之后，各lot中位于开口下方的浮栅层的厚度均为固定值。