[发明专利]一种发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610245662.4 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN105742435B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 江汉;蓝永凌;黄文宾;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制备方法，发光二极管至少包括一衬底，以及依次沉积于所述衬底上的成核层、缓冲层和外延层，其特征在于所述缓冲层和外延层之间还插入一Al/AlGaN DBR结构，所述DBR结构由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成,所述第一AlGaN层沉积于第一Al颗粒层使DBR具有波浪形粗化结构。本发明于缓冲层和外延层之间插入一由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成的呈波浪形的DBR结构，Al颗粒层的金属反射性和波浪形的粗化结构可以进一步提高DBR结构的出光效率。同时，本发明还提供了制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，至少包括一衬底，以及依次沉积于所述衬底上的成核层、缓冲层和外延层，其特征在于：所述缓冲层和外延层之间还插入一Al/AlGaN DBR结构，所述DBR结构由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成,所述第一AlGaN层沉积于第一Al颗粒层使DBR具有波浪形粗化结构。
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