[发明专利]一种半导体芯片封装结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体芯片封装结构及其制作方法。该方法包括：在半导体基底上形成间隔设置的多个电极；形成覆盖半导体基底和电极的溅射导电层；在电极之外的溅射导电层上形成绝缘保护层，其中，绝缘保护层包括分别设置于每个电极的两侧的第一绝缘保护块和第二绝缘保护块；在第一绝缘保护块和第二绝缘保护块之间的溅射导电层上依次形成金属层和焊锡层；刻蚀第一绝缘保护块和第二绝缘保护块之外的溅射导电层。通过上述方式，本发明能够避免溅射导电层和金属层之间出现底切缺陷，增大了溅射导电层和金属层的接触面积以及避免了焊锡注入溅射导电层形成介金属化合物，进而提高了半导体芯片封装结构的稳定性和可靠性。

主权项

一种半导体芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上形成间隔设置的多个电极；形成覆盖所述半导体基底和所述电极的溅射导电层；在所述电极之外的所述溅射导电层上形成绝缘保护层，其中，所述绝缘保护层包括分别设置于每个所述电极的两侧的第一绝缘保护块和第二绝缘保护块；在所述第一绝缘保护块和所述第二绝缘保护块之间的所述溅射导电层上依次形成金属层和焊锡层；刻蚀所述第一绝缘保护块和所述第二绝缘保护块之外的所述溅射导电层；对所述焊锡层进行回流形成金属焊锡端子。