[发明专利]同时制作PMOS管和NMOS管的方法、CMOS及其制作方法、振荡器

摘要

本发明提供了一种同时制作PMOS管和NMOS管的方法，包括：在基板上形成第一源极和第一漏极以及第二源极和第二漏极；在所述第一源极和所述第一漏极之间形成P型半导体碳纳米管，同时在所述第二源极和所述第二漏极之间形成N型半导体碳纳米管；在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极、所述P型半导体碳纳米管及所述N型半导体碳纳米管上形成介电层；在所述介电层上形成第一栅极及第二栅极；所述第一栅极与所述P型半导体碳纳米管相对，所述第二栅极与所述N型半导体碳纳米管相对，以形成在同一基板上的PMOS管和NMOS管。本发明还提供了一种CMOS及其制作方法、振荡器。本发明降低了CMOS制作的工艺复杂性和成本，提高了CMOS性能的稳定性。

主权项

一种同时制作PMOS管和NMOS管的方法，其特征在于，包括：在基板上形成第一源极和第一漏极以及第二源极和第二漏极；其中，所述第一漏极与所述第二漏极相邻；在所述第一源极和所述第一漏极之间形成P型半导体碳纳米管，同时在所述第二源极和所述第二漏极之间形成N型半导体碳纳米管；在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极、所述P型半导体碳纳米管及所述N型半导体碳纳米管上形成介电层；在所述介电层上形成第一栅极及第二栅极；其中，所述第一栅极与所述P型半导体碳纳米管相对，所述第二栅极与所述N型半导体碳纳米管相对，以形成在同一基板上的PMOS管和NMOS管。