[发明专利]同时制作PMOS管和NMOS管的方法、CMOS及其制作方法、振荡器

权利要求书

1.一种同时制作PMOS管和NMOS管的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第一源极和第一漏极以及第二源极和第二漏极；其中，所述第一漏极与所述第二漏极相邻；

在所述第一源极和所述第一漏极之间形成P型半导体碳纳米管，同时在所述第二源极和所述第二漏极之间形成N型半导体碳纳米管；

在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极、所述P型半导体碳纳米管及所述N型半导体碳纳米管上形成介电层；

在所述介电层上形成第一栅极及第二栅极；其中，所述第一栅极与所述P型半导体碳纳米管相对，所述第二栅极与所述N型半导体碳纳米管相对，以形成在同一基板上的PMOS管和NMOS管；

其中，利用气溶胶打印或喷墨打印或喷涂或浸泡或滴涂的方式将P型碳纳米管墨水沉积在所述第一源极和所述第二漏极之间以形成所述P型半导体碳纳米管，同时将N型碳纳米管墨水沉积在所述第二源极和所述第二漏极之间以形成所述N型半导体碳纳米管；

其中，其特征在于，所述P型或N型碳纳米管墨水的制作方法包括：

将有机共轭化合物与碳纳米管混合；

利用高压均质机或者微射流设备或者超声器对混合后的有机共轭化合物与碳纳米管进行作用，以形成碳纳米管溶液；

对所述碳纳米管溶液进行高速离心作用，以获得所述碳纳米管墨水。

2.根据权利要求1所述的同时制作PMOS管和NMOS管的方法，其特征在于，当所述有机共轭化合物为聚[(9,9'-二己基-2,7-芴)-并-(9,10-蒽)]或聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(6,6'-{2,2':6',2”-三联吡啶})]或聚[2,7-(9,9-二辛基芴)-4,7-双(噻吩-2-基)苯并-2,1,3-噻二唑]或聚-(9,9-二辛基并噻吩)时，获得所述P型碳纳米管墨水。

3.根据权利要求1所述的同时制作PMOS管和NMOS管的方法，其特征在于，当所述有机共轭化合物为聚[3-(5-甲基–[2,2'：3',2”：5',2”'-2”'-四噻吩]-5”'-基)-6-(5-甲基噻吩吡啶-2-基)-2,5-双(2-辛基十二烷基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮]或聚芴-二噻吩基吡咯并吡咯二酮时，获得所述N型碳纳米管墨水。

4.根据权利要求1至3任一项所述的同时制作PMOS管和NMOS管的方法，其特征在于，利用氧化铪或氧化铝或氧化锆或氧化钇或氮化硅形成所述介电层。

5.一种CMOS的制作方法，其特征在于，包括由权利要求1至4任一项所述的同时制作PMOS管和NMOS管的方法形成PMOS管和NMOS管；

在所述PMOS管的第一漏极和所述NMOS管的第二漏极之间形成第一导电层，以使所述第一漏极与所述第二漏极连接；

连接所述PMOS管的第一介电层和所述NMOS管的第二介电层；

在所述PMOS管的第一栅极和所述NMOS管的第二栅极之间形成第二导电层，以使所述第一栅极与所述第二栅极连接。

6.一种CMOS，其特征在于，包括：

基板；

在基板上的第一源极和第一漏极以及第二源极和第二漏极；其中，所述第一漏极与所述第二漏极相邻；

在所述第一漏极与所述第二漏极之间的第一导电层；其中，所述第一导电层分别连接所述第一漏极和所述第二漏极；

在所述第一源极和所述第一漏极之间的P型半导体碳纳米管，且在所述第二源极和所述第二漏极之间的N型半导体碳纳米管；

在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极、所述P型半导体碳纳米管以及所述N型半导体碳纳米管的介电层；

在所述介电层上的第一栅极及第二栅极；其中，所述第一栅极与所述P型半导体碳纳米管相对，所述第二栅极与所述N型半导体碳纳米管相对；

在所述第一栅极与所述第二栅极之间的第二导电层，其中，所述第二导电层分别连接所述第一栅极和所述第二栅极；

其中，所述P型半导体碳纳米管、所述N型半导体碳纳米管由不同的有机共轭化合物与碳纳米管分离形成。

7.一种振荡器，其特征在于，所述振荡器包括多个由权利要求5所述的CMOS的制作方法制成的CMOS或者包括多个如权利要求6所述的CMOS。