[发明专利]一种肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201610225302.8 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107293601B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311106 浙江省杭州市临平*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基半导体装置；设置有交替排列的第一漂移层和第二漂移层；第二漂移层设置有一个或多个背靠背半导体结，第一漂移层表面设置有肖特基结；当半导体装置接反向偏压时，第二漂移层内的MOS和反向半导体结可以调节肖特基结电场分布，降低峰值电场；当半导体装置接正向向偏压时，第二漂移层内存在反向半导体结，使得本发明的半导体装置为单载流子器件。本发明还提供一种肖特基半导体装置的制备方法，可以使用两次光刻工艺实现完整整流器件的生产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为半导体材料，位于陈底层上，多个绝缘层垂直位于漂移层中，将漂移层划分为交替排列的第一漂移层和第二漂移层中；第一漂移层，为第一导电类型半导体材料构成，表面设置有肖特基结；第二漂移层，为第一导电类型半导体材料与第二导电类型半导体材料上下叠加构成，在肖特基半导体装置内形成一个或多个背靠背半导体结；第二漂移层内上部设置有高浓度掺杂半导体材料，高浓度掺杂半导体材料下部低于第一漂移层表面肖特基结，或者第二漂移层内上部设置有第二导电类型半导体材料，其与下部第一导电类型半导体材料形成的半导体结界面低于第一漂移层表面肖特基结；上表面金属，设置于肖特基半导体装置上表面，连接第一漂移层和第二漂移层。
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