[发明专利]MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法

摘要

本发明公开了一种MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，在MOCVD高温生长GaAs叠层电池的GaInNAs子电池时，通过载气的快速切换,能够降低高温生长GaInNAs子电池时氮元素的掺杂难度，从而生长出所需的高质量GaInNAs子电池，而载气的快速切换则由互锁装置完成；此外，生长GaInNAs子电池前后需生长隧道结GaAs/AlGaAs，而生长GaInNAs子电池前后的隧道结GaAs/AlGaAs使用的载气为H2，生长GaInNAs子电池使用的载气为N2，GaInNAs子电池掺杂氮源为二甲基肼。通过本发明方法能生长出高质量的GaInNAs子电池，最终提高GaAs叠层电池的整体性能。

主权项

MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，其特征在于：在MOCVD高温生长GaAs叠层电池的GaInNAs子电池时，通过载气的快速切换,能够降低高温生长GaInNAs子电池时氮元素的掺杂难度，从而生长出所需的高质量GaInNAs子电池，而载气的快速切换则由互锁装置完成；此外，生长GaInNAs子电池前后需生长隧道结GaAs/AlGaAs，而生长GaInNAs子电池前后的隧道结GaAs/AlGaAs使用的载气为H2，生长GaInNAs子电池使用的载气为N2，GaInNAs子电池掺杂氮源为二甲基肼；其包括以下步骤：1)生长GaInNAs子电池前，载气为H2，生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接Ge衬底和GaInNAs子电池，H2流量为80‑90L/min，生长温度为540‑550℃，生长压力为30Torr，隧道结GaAs/AlGaAs的生长厚度为24‑26nm，生长时间为90s；2)生长GaInNAs子电池时，载气快速切换为N2，载气通过互锁装置自动快速切换，N2的流量为2.8‑3L/min,生长温度为590‑600℃，生长压力为39Torr，GaInNAs子电池的生长厚度为0.98‑1um，生长时间为30min；3)生长GaInNAs子电池后，载气快速切换为H2，生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接两个子电池，H2流量为80‑90L/min，生长温度为540‑550℃，生长压力为30Torr，隧道结GaAs/AlGaAs的生长厚度为24‑26nm，生长时间为90s。