[发明专利]MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法有效
| 申请号： | 201610192093.1 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105810778B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 杨鹏;杨翠柏;张小宾;张杨;方聪;刘向平;靳恺;王雷;高熙隆 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/30;C23C16/52 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 梁莹 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mocvd 高温 生长 质量 gainnas 电池 方法 | ||
1.MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，其特征在于：在MOCVD高温生长GaAs叠层电池的GaInNAs子电池时，通过载气的快速切换,能够降低高温生长GaInNAs子电池时氮元素的掺杂难度，从而生长出所需的高质量GaInNAs子电池，而载气的快速切换则由互锁装置完成；此外，生长GaInNAs子电池前后需生长隧道结GaAs/AlGaAs，而生长GaInNAs子电池前后的隧道结GaAs/AlGaAs使用的载气为H2，生长GaInNAs子电池使用的载气为N2，GaInNAs子电池掺杂氮源为二甲基肼；其包括以下步骤：
1)生长GaInNAs子电池前，载气为H2，生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接Ge衬底和GaInNAs子电池，H2流量为80-90L/min，生长温度为540-550℃，生长压力为30Torr，隧道结GaAs/AlGaAs的生长厚度为24-26nm，生长时间为90s；
2)生长GaInNAs子电池时，载气快速切换为N2，载气通过互锁装置自动快速切换，N2的流量为2.8-3L/min,生长温度为590-600℃，生长压力为39Torr，GaInNAs子电池的生长厚度为0.98-1um，生长时间为30min；
3)生长GaInNAs子电池后，载气快速切换为H2，生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接两个子电池，H2流量为80-90L/min，生长温度为540-550℃，生长压力为30Torr，隧道结GaAs/AlGaAs的生长厚度为24-26nm，生长时间为90s。
2.根据权利要求1所述的MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，其特征在于：H2的纯度即体积百分数大于99.99999％，N2的纯度即体积百分数大于99.999％。
3.根据权利要求1所述的MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，其特征在于：氮气和氢气的进气管路安装互锁装置，互锁装置的开启由生长程序自动控制，当生长GaInNAs子电池时，生长程序输出信号给PLC，PLC控制互锁装置，载气通过互锁装置自动快速切换。
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