[发明专利]一种背照式图像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610182183.2 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105826301A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴关平;陈保友;梅绍宁 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，包括硅衬底，所述硅衬底具有深沟道隔离，所述深沟道隔离的沟槽的底部通过填充绝缘材料生成绝缘材料隔离部件，所述深沟道隔离的沟槽的上部通过填充金属材料生成金属材料隔离部件，所述金属材料隔离部件的下表面与所述绝缘材料隔离部件的上表面紧密接触，所述金属材料隔离部件的上表面和硅衬底的上表面持平。本发明的有益效果是：能够有效利用到金属材料隔离部件对光线串扰的抑制性能以及绝缘材料隔离部件对电子串扰的抑制性能；且沟槽的底部采用绝缘材料填充工艺简单，能够实现较深沟槽的填充，从而更好的抑制电子串扰，并且保持长波长光线的量子效率；能够综合提高背照式图像传感器的像素性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背照式 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式图像传感器，其特征在于，包括硅衬底(1)，所述硅衬底(1)具有深沟道隔离(2)，所述深沟道隔离(2)的沟槽(21)的底部通过填充绝缘材料生成绝缘材料隔离部件(211)，所述深沟道隔离(2)的沟槽(21)的上部通过填充金属材料生成金属材料隔离部件(212)，所述金属材料隔离部件(212)的下表面与所述绝缘材料隔离部件(211)的上表面紧密接触，所述金属材料隔离部件(212)的上表面和硅衬底(1)的上表面持平。
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