[发明专利]氮化镓场效应晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201610178302.7 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230630A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马爽,黄健 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种氮化镓场效应晶体管的制作方法，该方法首先通过在器件的第一区域上制作晶体管的欧姆接触电极和栅极，其中，所述器件包括衬底以及依次生长在所述衬底表面上的GaN缓冲层和AlGaN势垒层；再通过在所述器件的表面上淀积第一PETEOS氧化层，并在所述器件的第二区域上对所述器件进行刻蚀，直至刻蚀掉部分所述衬底为止，形成穿通孔，其中，所述第二区域与所述第一区域的交集为空；最后通过在所述器件的表面上淀积金属层，并对所述金属层进行刻蚀，形成所述氮化镓场效应晶体管，缓解了漏极和栅极之间的电场，减小了源极的互连电阻和寄生电感，提高了氮化镓场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在器件的第一区域上制作晶体管的欧姆接触电极和栅极，其中，所述器件包括衬底以及依次生长在所述衬底表面上的GaN缓冲层和AlGaN势垒层；在所述器件的表面上淀积第一PETEOS氧化层；在所述器件的第二区域上对所述器件进行刻蚀，直至刻蚀掉部分所述衬底为止，形成穿通孔，其中，所述第二区域与所述第一区域的交集为空；在所述器件的表面上淀积金属层，并对所述金属层进行刻蚀，形成所述氮化镓场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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