[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

公开了半导体装置及其制造方法。一种半导体结构包括用于finFET鳍的替代带，该替代带提供存储电容器与鳍之间的连通。存储电容器位于在衬底中形成的深沟槽中，并且鳍被形成在衬底的表面上。替代带允许鳍电连接到存储电容器，并且与存储电容器和鳍直接物理连通。可以通过去除牺牲带并且合并从鳍外延生长的材料和从电容器外延生长的材料来形成替代带。相对于从电容器生长的外延生长材料，以更慢速度生长从鳍生长的外延生长材料。通过在替代带形成之前去除牺牲带，限制了可能导致相邻电容器之间短路的外延过生长。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，包括：在半导体衬底上形成鳍层；在鳍层内和衬底内形成深沟槽；在深沟槽内形成电容器；在深沟槽内的电容器上形成牺牲带材料；通过去除鳍层的部分形成鳍；通过去除牺牲带材料的部分形成牺牲带，所述牺牲带接触鳍并且接触电容器；去除牺牲带；以及通过合并从鳍外延生长的材料和从电容器外延生长的材料，形成替代带。