[发明专利]用于金属熔丝应用的堆叠通道结构有效

专利信息
申请号: 201610161575.0 申请日: 2012-03-13
公开(公告)号: CN105655324B 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: R.G.菲利皮;G.伯尼拉;K.钱达;S.格鲁诺;N.E.鲁斯蒂格;A.H.西蒙;王平川 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种具有堆叠的通道(122,132)的后段制程(BOEL)熔丝结构。通道(122,132)堆叠导致高深宽比,而使得通道内的衬里和种子覆盖更差。衬里(124)和种子层的弱化导致电迁移(EM)失效的较高概率。该熔丝结构解决了因差的衬里和种子覆盖引起的失效。设计特征允许确定失效发生在何处、确定在熔丝编程后受损害区域的程度,并防止受损害电介质区域的进一步蔓延。
搜索关键词: 用于 金属 应用 堆叠 通道 结构
【主权项】:
1.一种用于电检测熔丝的电介质区域中的损害的方法,包括以下步骤:在所述熔丝的负电压连接件和邻近导体的正电压连接件之间施加电压,由电介质区域将所述邻近导体与所述熔丝物理地间隔;测量所述邻近导体的正电流连接件(I+)和所述熔丝的负电流连接件(I‑)之间的电流;以及检测所述电介质区域中的损害,当所述正电流连接件(I+)和所述负电流连接件(I‑)之间测得短路时,损害存在且已经扩展至所述电介质区域中;其中所述熔丝的所述负电流连接件(I‑)位于导体(111)和第一导电线(133)上,所述导体(111)位于所述熔丝下方,所述第一导电线(133)位于所述熔丝上方,并且所述邻近导体的所述正电流连接件(I+)位于所述邻近导体的第二导电线(143)上。
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