[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该碳化硅MOSFET器件包括多个元胞，各元胞之间通过互联金属(12)相连接，每个元胞包括一个栅极、一个栅氧化层、两个源极、一个N型漂移层、一个N+缓冲层、一个N+衬底、漏极和隔离介质。本发明的工艺步骤中，接触区域开孔、蒸发接触金属并剥离使用的光刻板不仅在源极区域有图形，在栅极pad区域也存在图形。

主权项

1.一种碳化硅MOSFET器件的制备方法，包括以下工艺步骤：步骤S1：清洗晶片；步骤S2：光刻刻蚀在所述晶片上形成划片槽；步骤S3：排布自对准工艺所需多晶硅，离子注入阱区；步骤S4：氧化多晶硅并蒸发金属，光刻剥离后离子注入源区；步骤S5：光刻腐蚀形成基区窗口，离子注入形成基区；步骤S6：光刻腐蚀形成终端窗口，离子注入形成JTE终端；步骤S7：高温激活退火；步骤S8：栅氧氧化；步骤S9：栅电极刻蚀；步骤S10，淀积隔离介质；步骤S11，接触区域开孔，蒸发接触金属并剥离，其中，使用的光刻板(m6)不仅在源极区域有图形，在栅极pad区域也存在图形；步骤S12，蒸发pad金属，剥离形成pad区域。