[发明专利]层压芯片装置在审
| 申请号： | 201610149892.0 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105990287A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 朴寅吉;盧泰亨;金炅泰;李明镐;徐泰根;李敏洙;李松娟 | 申请（专利权）人： | 英诺晶片科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种层压芯片装置，其包含：第一层压体，其中形成于多个片材上的多个导体图案通过形成为穿透至少一个片材的通孔彼此连接；第二层压体，其提供于第一层压体上方或下方并且具有形成于多个片材上的多个内电极图案，并且内电极图案在对应于通孔的区域的至少一部分中具有非导电区域。该层压芯片装置具有彼此不同的特征的单元装置层压在单芯片上。 | ||
| 搜索关键词： | 层压 芯片 装置 | ||
【主权项】：
一种层压芯片装置，其包括：第一层压体，其包含分别提供于多个片材上的多个导体图案，所述导体图案通过形成为穿透至少一个所述片材的通孔垂直地彼此连接；以及第二层压体，其安置于所述第一层压体的上方或下方并且包含提供于多个所述片材上的多个内电极图案，其中所述内电极图案配备有在对应于所述通孔的区域的至少一部分中的非导电区域。
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