[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201610148642.5 申请日: 2010-12-01
公开(公告)号: CN105789204B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 山崎舜平;小山润;加藤清 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L27/11;H01L27/115;H01L21/84;H01L27/118;H01L27/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 叶晓勇;姜甜
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的之一是提供一种具有新的结构的半导体装置,其中,在数据存储时间中即使没有电力供给也能够存储存储内容并且对写入次数也没有限制。该半导体装置包括:包括第一源电极以及第一漏电极、与第一源电极以及第一漏电极电连接且使用氧化物半导体材料的第一沟道形成区域、第一沟道形成区域上的第一栅极绝缘层以及第一栅极绝缘层上的第一栅电极的第一晶体管。第一晶体管的第一源电极和第一漏电极之一与电容器的一个电极彼此电连接。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
 一种半导体装置,包括:绝缘层;以及晶体管,包括:所述绝缘层上的源电极和漏电极;氧化物层,在所述源电极的顶部和侧部以及所述漏电极的顶部和侧部上,并且与所述源电极的顶部和侧部以及所述漏电极的顶部和侧部直接接触;栅极绝缘层,在所述氧化物层上并且与所述氧化物层直接接触;以及栅电极,在所述栅极绝缘层上并且与所述栅极绝缘层直接接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610148642.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top