[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

绝缘层；

第一晶体管，包括：

所述绝缘层上的源电极和漏电极；

氧化物半导体层，在所述源电极的顶部和侧部以及所述漏电极的顶部和侧部上，并且与所述源电极的顶部和侧部以及所述漏电极的顶部和侧部直接接触；

栅极绝缘层，在所述氧化物半导体层上并且与所述氧化物半导体层直接接触；以及

栅电极，在所述栅极绝缘层上并且与所述栅极绝缘层直接接触；

电容器，包括：

彼此面对的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极中的一个与所述源电极和所述漏电极中的一个电接触；以及

第二晶体管，所述第二晶体管的栅电极与所述第一电极和所述第二电极中的所述一个、以及所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极中的所述一个电连接，

其中，所述第二晶体管的沟道形成区域使用氧化物半导体材料，

其中，所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极的端部为锥形形状，

并且，所述电容器的电容大于或等于所述第二晶体管的栅极电容。

2.一种半导体装置，包括：

绝缘层；

第一晶体管，包括：

所述绝缘层上的源电极和漏电极；

氧化物半导体层，在所述源电极的顶部和侧部以及所述漏电极的顶部和侧部上，并且与所述源电极的顶部和侧部以及所述漏电极的顶部和侧部直接接触；

栅极绝缘层，在所述氧化物半导体层上并且与所述氧化物半导体层直接接触；以及

栅电极，在所述栅极绝缘层上并且与所述栅极绝缘层直接接触；

电容器，包括：

彼此面对的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极中的一个是形成所述源电极和所述漏电极中的一个的导电层的延伸；以及

各自在所述第一电极和所述第二电极之间的所述氧化物半导体层和所述栅极绝缘层；以及

第二晶体管，所述第二晶体管的栅电极与所述第一电极和所述第二电极中的所述一个、以及所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极中的所述一个电连接，

其中，所述第二晶体管的沟道形成区域使用氧化物半导体材料，

其中，所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极的端部为锥形形状，

并且，所述电容器的电容大于或等于所述第二晶体管的栅极电容。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中，沿所述第一晶体管的沟道长度方向取得的所述半导体装置的截面图示出所述氧化物半导体层在未包括于所述源电极和所述漏电极之间的区域中与所述绝缘层直接接触。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中，沿所述第一晶体管的沟道长度方向取得的所述半导体装置的截面图示出所述氧化物半导体层在所述源电极和所述漏电极中的一个的两个相对侧边缘上并且与所述两个相对侧边缘接触。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中，所述源电极的内侧边缘面对所述漏电极的内侧边缘，以及

其中，所述氧化物半导体层延伸超过所述源电极和所述漏电极中的一个的外侧边缘，所述外侧边缘与所述源电极和所述漏电极中的所述一个的所述内侧边缘相对。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中，所述氧化物半导体层是本征或基本上本征的氧化物半导体层。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中，所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌。