[发明专利]一种化学机械研磨缺陷检测方法

摘要

本发明涉及集成电路制造工艺和版图设计技术领域，具体涉及一种化学机械研磨的缺陷检测方法，该方法包括：提取CMP工艺前的材料结构信息；确定CMP相关工艺参数；建立符合CMP去除机理的CMP预测模型；进行CMP缺陷检测版图设计，确定CMP工艺缺陷产生条件。利用本发明可以在版图设计阶段最小化化学机械研磨工艺缺陷区域面积，从而减小冗余金属填充数量，提高产品优良率。

主权项

1.一种化学机械研磨缺陷检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：提取CMP工艺前的材料结构信息；确定CMP相关工艺参数；建立符合CMP去除机理的CMP预测模型；进行CMP缺陷检测版图设计，确定CMP工艺缺陷产生条件；所述材料结构信息具体包括不同材料的厚度；所述CMP相关工艺参数包括：压力P₀、CMP运行时间、不同材料的去除速率MRR、以及研磨垫与晶圆的相对移动速度V；所述建立符合CMP去除机理的CMP预测模型具体包括：建立材料去除模型；确定所述去除模型表面的压力分布；根据所述材料结构信息、所述去除模型表面的压力分布、以及CMP运行时间确定在不同阶段的不同材料去除情况；根据所述不同材料去除情况，计算CMP后的蝶形缺陷；所述进行CMP缺陷检测版图设计，确定CMP工艺缺陷产生条件具体包括：设定左下角的起始网格线宽W₁₁和间距S₁₁；确定网格最大线宽W_T、网格最大间距S_T；设定相邻网格线宽增长步长ΔW、相邻网格间距增长步长ΔS；生成CMP缺陷检测版图，利用所述CMP预测模型运算所述CMP缺陷检测版图，得出较大蝶形缺陷，从而确定CMP工艺缺陷产生条件。