[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法

摘要

本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。

主权项

1.一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：第一半导体堆叠结构发光单元，包括第一导电型上半导体层、有源层和第二导电型下半导体层；接触区域，形成为穿过第一半导体堆叠结构发光单元的第二导电型下半导体层和有源层以暴露第一导电型上半导体层；保护绝缘层，覆盖第一半导体堆叠结构发光单元的侧壁；第一凸块，设置在第一半导体堆叠结构发光单元下方并且电连接到通过接触区域暴露的第一导电型上半导体层；第二凸块，设置在第一半导体堆叠结构发光单元下方并且电连接到第二导电型下半导体层；以及波长转换器，设置在第一半导体堆叠结构发光单元上，波长转换器包括延伸超过第一半导体堆叠结构发光单元的侧表面的区域，其中，所述发光二极管封装件还包括设置在第一凸块和第二凸块之间的绝缘层，并且第一凸块和第二凸块相对于绝缘层突出，其中，所述发光二极管封装件还包括：哑凸块，布置在第一凸块和第二凸块之间的绝缘层中。