[发明专利]一种半导体层和TFT的制备方法、TFT、阵列基板

摘要

本发明实施例提供一种半导体层和TFT的制备方法、TFT、阵列基板，涉及显示技术领域，可解决现有技术中利用液相法制备的半导体层存在的迁移率低的问题，以及利用气相法制备的半导体层存在的半导体纯度不高、衬底受限、金属性CNT占比较高等问题。该半导体层的制备方法，包括：在衬底上形成二氧化硅薄膜，通过构图工艺处理，在待形成的半导体层的相对两侧形成侧壁；对侧壁进行氨基化处理，使侧壁的表面形成氨基硅氧烷单层自组装；对碳纳米管溶液进行羧基化，并将羧基化的碳纳米管溶液制作在形成有侧壁的衬底表面，形成碳纳米管薄膜；利用刻蚀工艺去掉除侧壁之间的其它部分的碳纳米管薄膜，形成半导体层。用于制备半导体层。

主权项

1.一种半导体层的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成二氧化硅薄膜，通过构图工艺处理，在待形成的所述半导体层的相对两侧形成侧壁；对所述侧壁进行氨基化处理，使所述侧壁的表面形成氨基硅氧烷单层自组装；对碳纳米管溶液进行羧基化，并将羧基化的所述碳纳米管溶液制作在形成有所述侧壁的所述衬底表面，形成碳纳米管薄膜；利用刻蚀工艺去掉除所述侧壁之间的其它部分的碳纳米管薄膜，形成所述半导体层；所述其它部分为所述衬底表面上除所述侧壁之间部分外的部分。