[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610111559.0 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN106486530B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 吉村尚弥;二宫英彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王成坤;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，半导体装置具有：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第一导电型的第三半导体区域；栅极电极；栅极绝缘层；第二导电型的第四半导体区域；第一导电部；及第一绝缘层。栅极电极在与从第一半导体区域向第二半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第二半导体区域并列。第一导电部的至少一部分被第四半导体区域所包围。第一绝缘层的至少一部分设置在第一导电部与第四半导体区域之间。第一绝缘层的在第一方向上位于第一导电部与第一半导体区域之间的部分的厚度，比栅极绝缘层的膜厚薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域之上；第一导电型的第三半导体区域，选择性地设置在所述第二半导体区域之上；栅极电极，在与从所述第一半导体区域向所述第二半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与所述第二半导体区域并列；栅极绝缘层，设置在所述第一半导体区域、所述第二半导体区域及所述第三半导体区域各自与所述栅极电极之间；第二导电型的第四半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域之上，所述第四半导体区域与所述第二半导体区域分离；第一导电部，所述第一导电部的至少一部分被所述第四半导体区域所包围；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层的至少一部分设置在所述第一导电部与所述第四半导体区域之间，在所述第一方向上位于所述第一导电部与所述第一半导体区域之间的所述第一绝缘层的一部分的厚度比所述栅极绝缘层的膜厚薄。
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