[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、及绝缘部。第4半导体区域与第3半导体区域相隔。第4半导体区域的第2导电型的载子密度高于第2半导体区域的第2导电型的载子密度。第4半导体区域的从第2半导体区域朝向第1半导体区域的第1方向上的端部相对于第3半导体区域的第1方向的端部，设置在第1方向侧。绝缘部设置在第4半导体区域之上、和第2半导体区域中位于第3半导体区域与第4半导体区域之间的部分的至少一部分之上。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域之上；第2导电型的第3半导体区域，所述第3半导体区域的至少一部分由所述第2半导体区域包围；第2导电型的第4半导体区域，所述第4半导体区域的至少一部分由所述第2半导体区域包围，所述第4半导体区域与所述第3半导体区域相隔，所述第4半导体区域的第2导电型的载子浓度高于所述第2半导体区域的第2导电型的载子浓度，所述第4半导体区域的第1方向上的端部相对于所述第3半导体区域的所述第1方向上的端部设置在所述第1方向侧，且所述第1方向是从所述第2半导体区域朝向所述第1半导体区域的方向；及绝缘部，设置在所述第4半导体区域之上、和位于所述第3半导体区域与所述第4半导体区域之间的所述第2半导体区域的一部分之上。