[发明专利]掩埋沟道半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610090342.6 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN106252232B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 陈家忠;黄崎峰;梁其翔;蔡辅桓;谢协宏;叶子祯;蔡汉旻;朱虹霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。 | ||
| 搜索关键词： | 掩埋 沟道 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：/n在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部；/n其中，所述一个或多个鳍部包括沿着所述第一方向的第一区域和位于所述第一区域两侧且沿着所述第一方向的第二区域；/n将掺杂剂注入所述鳍部的第一区域，但是未注入所述第二区域，其中，所述掺杂剂形成位于所述鳍部的中心区域处的掺杂区域，所述掺杂区域距所述鳍部的顶部第一距离以及在厚度方向上距沿着所述鳍部的所述第一方向延伸的侧壁第二距离；/n在所述鳍部的第一区域上方形成栅极结构；以及/n在所述鳍部的第二区域上形成源极/漏极，其中，所述掺杂区域形成所述源极和所述漏极之间唯一的沟道。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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