[发明专利]半导体装置、成像设备及制造半导体装置的方法在审
申请号: | 201610086842.2 | 申请日: | 2016-02-16 |
公开(公告)号: | CN105914251A | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 上田佳德;米田和洋;爱须克彦;中谷宁一;根来宝明;樱野胜之;渡边博文 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张祥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置、成像设备及制造半导体装置的方法,该半导体装置包括:半导体层,从半导体层的表面嵌入到半导体层的内部并且由绝缘层绝缘的电极,以及一结构,在该结构中,第一导电型的第一半导体区域,第二导电型的第二半导体区域,以及第一导电型的第三半导体以前述顺序从所述半导体层的表面经由所述绝缘层沿着所述电极形成。电极被布置在一位置处,在该位置,在第一半导体区域和第二半导体区域的分界面和第二半导体区域和第三半导体区域的分界面中的至少一个中没有反型层由提供给电极的电压形成。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 成像 设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:半导体层;从所述半导体层的表面嵌入到所述半导体层的内部并由绝缘层绝缘的电极;以及一结构,在该结构中,第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域以及第一导电型的第三半导体区域以前述顺序从所述半导体层的表面经由所述绝缘层沿着所述电极形成;其中,所述电极被布置在一位置处,在该位置,在第一半导体区域与第二半导体区域的分界面和第二半导体区域与第三半导体区域的分界面中的至少一个中并未由提供给所述电极的电压形成反型层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的