[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底，基底表面形成有鳍部；形成横跨鳍部的伪栅结构；在伪栅结构两侧的鳍部内形成源区或漏区；在鳍部以及源区或漏区上形成介质层；去除核心区伪栅结构的伪栅极，露出氧化层；进行第一防穿通注入；去除核心区伪栅结构的氧化层，露出位于核心区鳍部的表面；在鳍部上形成金属栅极结构。本发明通过在伪栅结构以及源区或漏区形成之后，去除核心区伪栅结构的伪栅极，对核心区的基底进行防穿通注入，之后通过去除伪栅结构的氧化层以去除防穿通注入对氧化层的损伤，从而可以减少防穿通层中的离子在形成伪栅结构和源区或漏区的过程中向上扩散而影响沟道性能，进而改善了所形成半导体结构的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底表面形成有鳍部，所述基底包括用于形成核心器件的核心区，位于所述核心区的鳍部为核心区鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖部分鳍部的侧壁和顶部表面，所述伪栅结构包括依次位于鳍部上的氧化层和伪栅极，位于所述核心区的伪栅结构为核心区伪栅结构；在所述伪栅结构两侧的鳍部内形成源区或漏区；在所述鳍部以及源区或漏区上形成介质层，所述介质层露出所述伪栅结构；去除核心区伪栅结构的伪栅极，露出位于核心区鳍部表面的氧化层；进行第一防穿通注入，在所述核心区鳍部内的源区或漏区下方形成第一防穿通层；去除所述核心区伪栅结构的氧化层，露出位于核心区鳍部的表面；在所述鳍部上形成金属栅极结构。