[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底，基底包括用于形成输入输出器件的外围区和用于形成核心器件的核心区；在基底上形成伪栅结构；在伪栅结构之间的基底上形成介质层；去除外围区伪栅结构的伪栅极形成第一开口；对第一开口底部露出的氧化层进行氧化处理；去除核心区伪栅结构的伪栅极和氧化层形成第二开口；形成栅介质层；在第一开口和第二开口中填充金属层。本发明氧化处理仅对第一开口底部露出的氧化层进行氧化，所述氧化处理并不会影响核心区伪栅结构的侧墙，可以避免填充第一开口和第二开口的金属层尺寸过大，从而改善了所形成半导体结构的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括用于形成输入输出器件的外围区和用于形成核心器件的核心区；在所述基底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括依次位于基底上的氧化层和伪栅极；在伪栅结构之间的所述基底上形成介质层，所述介质层露出所述伪栅结构的顶部表面；去除所述外围区伪栅结构的所述伪栅极，在所述外围区的介质层内形成露出所述氧化层的第一开口；对所述第一开口底部露出的所述氧化层进行氧化处理；在所述氧化处理之后，去除核心区伪栅结构的伪栅极和氧化层，形成第二开口；形成覆盖经氧化处理的氧化层、所述第一开口侧壁以及第二开口底部和侧壁的栅介质层；在所述第一开口和第二开口中填充金属层，位于所述第一开口中的氧化层、栅介质层和金属层用于构成第一栅极结构，位于所述第二开口中的栅介质层和金属层用于构成第二栅极结构。