[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底，基底包括用于形成输入输出器件的外围区和用于形成核心器件的核心区；在基底上形成伪栅结构；在伪栅结构之间的基底上形成介质层；去除外围区伪栅结构的伪栅极形成第一开口；对第一开口底部露出的氧化层进行氧化处理；去除核心区伪栅结构的伪栅极和氧化层形成第二开口；形成栅介质层；在第一开口和第二开口中填充金属层。本发明氧化处理仅对第一开口底部露出的氧化层进行氧化，所述氧化处理并不会影响核心区伪栅结构的侧墙，可以避免填充第一开口和第二开口的金属层尺寸过大，从而改善了所形成半导体结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高元件密度，以及更高集成度的方向发展。而晶体管(MOS)作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用。

半导体器件按照功能区分主要分为核心(Core)器件和输入输出(Input andOutput,IO)器件。其中，核心器件包括核心MOS器件，输入输出器件包括输入输出MOS器件。为了减小半导体器件的尺寸，提高半导体器件的集成度，核心器件的尺寸小于输入输出器件的尺寸。此外，输入输出器件的工作电压比核心器件的工作电压大得多，以获得更强的驱动能力。为防止电击穿等问题，当器件的工作电压越大时，要求器件的栅介质层厚度越厚，因此，输入输出MOS器件的栅介质层厚度通常大于核心MOS器件栅介质层的厚度。

然而，现有技术所形成的半导体器件中输入输出器件的性能仍然无法满足技术发展的需求。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，以优化输入输出器件的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：

形成基底，所述基底包括用于形成输入输出器件的外围区和用于形成核心器件的核心区；

在所述基底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括依次位于基底上的氧化层和伪栅极；

在伪栅结构之间的所述基底上形成介质层，所述介质层露出所述伪栅结构的顶部表面；

去除所述外围区伪栅结构的所述伪栅极，在所述外围区的介质层内形成露出所述氧化层的第一开口；

对所述第一开口底部露出的所述氧化层进行氧化处理；

在所述氧化处理之后，去除核心区伪栅结构的伪栅极和氧化层，形成第二开口；

形成覆盖经氧化处理的氧化层、所述第一开口侧壁以及第二开口底部和侧壁的栅介质层；

在所述第一开口和第二开口中填充金属层，位于所述第一开口中的氧化层、栅介质层和金属层用于构成第一栅极结构，位于所述第二开口中的栅介质层和金属层用于构成第二栅极结构。

可选的，去除所述外围区伪栅结构的所述伪栅极的步骤包括：形成覆盖所述核心区的第一掩膜；以所述第一掩膜为掩膜，去除所述外围区基底表面伪栅结构的伪栅极，在所述外围区基底表面的介质层内形成第一开口。

可选的，形成覆盖所述核心区基底表面的第一掩膜的步骤中，所述第一掩膜的材料包括：光刻胶。

可选的，去除所述外围区基底表面伪栅结构的伪栅极的步骤包括：以所述第一掩膜为掩膜，采用四甲基氢氧化铵湿法刻蚀的方式去除所述外围区基底表面伪栅结构的伪栅极。

可选的，所述氧化层的材料为氧化硅；对所述第一开口底部露出的所述氧化层进行氧化处理的步骤包括：采用快速热氧化的方式对所述第一开口底部露出的所述氧化层进行氧化处理。

可选的，经氧化处理后，所述氧化层的厚度在到范围内。