[发明专利]发光二极管芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201610081608.0 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105679888B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;何安和;郑建森 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/38;B23K26/402 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片的制作方法，提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上形成发光外延层，其中发光外延层包括N型层、发光层和P型层；采用激光对所述蓝宝石衬底进行多次渐进式隐切，形成一系列隐切图案，所述隐切图案逐渐远离所述蓝宝石衬底的上表面并靠近所述蓝宝石衬底的下表面中心点；沿所述一系列隐切图案进行激光切割并劈裂，得发光二极管芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：工艺步骤如下：1）提供一蓝宝石衬底；2）在所述蓝宝石衬底上形成发光外延层，其中发光外延层包括N型层、发光层和P型层；3）采用激光对所述蓝宝石衬底进行多次渐进式隐切，形成一系列隐切图案，所述隐切图案逐渐远离所述蓝宝石衬底的上表面并靠近所述蓝宝石衬底的下表面中心点；4）沿所述一系列隐切图案进行激光切割并劈裂，得发光二极管芯片；其特征在于：所述隐切图案的位置在垂直方向上，从与所述蓝宝石衬底的上表面存在间隔逐渐逼近直至所述蓝宝石衬底的下表面；隐切图案的位置在水平方向上，从与所述蓝宝石衬底侧边存在间隔逐渐逼近直至所述蓝宝石衬底的下表面中心点。
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