[发明专利]电容器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610079741.2 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107039535B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电容器件及其形成方法，所述电容器件包括：衬底，所述衬底包括有源区；位于所述衬底的有源区表面的主栅极结构、以及分别位于主栅极结构两侧的第一伪栅极结构；分别位于所述主栅极结构两侧的衬底有源区内的掺杂区，所述掺杂区位于相邻主栅极结构和第一伪栅极结构之间；分别位于所述主栅极结构两侧的第一导电结构，所述第一导电结构位于主栅极结构一侧的掺杂区表面和第一伪栅极结构表面。所述电容器的性能改善。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器件，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底包括有源区；/n位于所述衬底的有源区表面的主栅极结构、以及分别位于主栅极结构两侧的第一伪栅极结构；/n分别位于所述主栅极结构两侧的衬底有源区内的掺杂区，所述掺杂区位于相邻主栅极结构和第一伪栅极结构之间；/n分别位于所述主栅极结构两侧的第一导电结构，所述第一导电结构位于主栅极结构一侧的掺杂区表面和第一伪栅极结构表面。/n
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