[发明专利]电容器件及其形成方法

说明书

一种电容器件及其形成方法，所述电容器件包括：衬底，所述衬底包括有源区；位于所述衬底的有源区表面的主栅极结构、以及分别位于主栅极结构两侧的第一伪栅极结构；分别位于所述主栅极结构两侧的衬底有源区内的掺杂区，所述掺杂区位于相邻主栅极结构和第一伪栅极结构之间；分别位于所述主栅极结构两侧的第一导电结构，所述第一导电结构位于主栅极结构一侧的掺杂区表面和第一伪栅极结构表面。所述电容器的性能改善。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电容器件及其形成方法。

背景技术

金属-氧化物-半导体结构电容器(MOS Varactor)被广泛应用于逻辑电路或闪存存储器电路中，用于防止噪音和模拟器件的频率解调。

现有的金属-氧化物-半导体结构电容器包括：半导体基底；位于所述半导体基底内的阱区；位于所述半导体基底内的隔离结构，且所述隔离结构包围所述阱区；位于所述阱区表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的阱区内的掺杂区，所述掺杂区和阱区内具有相同导电类型的掺杂离子。其中，所述栅极结构包括位于半导体基底上的栅介质层、以及位于栅介质层表面的栅极层。所述栅极层和阱区作为电容器的电极，而位于栅极层和阱区之间的栅介质层作为电容器两电极之间的介质层。

为了缩小半导体器件的尺寸、提高半导体器件的密度，能够基于鳍式结构形成金属-氧化物-半导体结构电容器。具体的，上述半导体基底包括衬底以及位于衬底表面的鳍部；所述隔离结构位于衬底表面，而所述阱区形成于所述鳍部内；所述栅极结构横跨于所述鳍部侧壁和顶部表面。

然而，随着半导体器件的密度不断提高，依旧给金属-氧化物-半导体结构电容器的性能带来了不良影响，有待进一步改进。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种电容器件及其形成方法，所述电容器的性能改善。

为解决上述问题，本发明提供一种电容器件的形成方法，包括：衬底，所述衬底包括有源区；位于所述衬底的有源区表面的主栅极结构、以及分别位于主栅极结构两侧的第一伪栅极结构；分别位于所述主栅极结构两侧的衬底有源区内的掺杂区，所述掺杂区位于相邻主栅极结构和第一伪栅极结构之间；分别位于所述主栅极结构两侧的第一导电结构，所述第一导电结构位于主栅极结构一侧的掺杂区表面和第一伪栅极结构表面。

可选的，所述第一导电结构包括：位于掺杂区表面的第一导电插塞、以及位于第一导电插塞顶部表面和第一伪栅极结构顶部表面的第一导电层。

可选的，还包括：位于所述衬底内的隔离结构，所述隔离结构包围所述有源区。

可选的，还包括：位于所述隔离结构表面的第二伪栅极结构。

可选的，还包括：位于所述隔离结构表面的第二导电结构，所述第二导电结构位于所述第一伪栅极结构和第二伪栅极结构之间。

可选的，所述第二导电结构与所述第二伪栅极结构电连接。

可选的，所述第二导电结构与所述第一导电结构或所述第一伪栅极结构电连接。

可选的，所述掺杂区包括：位于所述主栅极结构两侧的衬底内的开口；位于所述开口内的外延层。

可选的，所述外延层的材料为硅锗，所述外延层内掺杂有P型离子；所述外延层的材料为磷化硅或碳化硅，所述外延层内掺杂有N型离子。

可选的，还包括：位于所述衬底有源区内的第一阱区，所述第一阱区内掺杂有第一类型离子；所述第一类型离子为P型离子或N型离子。

可选的，所述掺杂区内掺杂有第一类型离子。

可选的，位于所述第一阱区底部的衬底内的第二阱区，所述第二阱区内掺杂有第二类型离子；所述第二类型离子为N型离子或P型离子。