[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：在介质层内形成第一开口，所述第一开口横跨相邻栅极结构；在第一开口侧壁表面形成第一掩膜层，且第一掩膜层横跨相邻栅极结构；在第一掩膜层表面形成填充满第一开口的牺牲层，且第一掩膜层的材料耐刻蚀性大于牺牲层的材料耐刻蚀性；在介质层表面、牺牲层表面以及第一掩膜层表面形成具有第二开口的第二掩膜层，所述第二开口横跨所述牺牲层以及第一掩膜层；以第二掩膜层为掩膜，沿第二开口刻蚀被牺牲层和第一掩膜层暴露出的介质层，在相邻栅极结构之间的介质层内形成分立的接触孔；形成填充满接触孔的导电插塞。本发明提高形成的接触孔侧壁位置精确度和形貌精确度，进而改善形成的半导体结构的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有若干分立的栅极结构，所述基底表面还形成有覆盖栅极结构的介质层，且介质层顶部高于栅极结构顶部；在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口横跨相邻栅极结构；在所述第一开口侧壁表面形成第一掩膜层，且所述第一掩膜层横跨相邻栅极结构；在所述第一掩膜层表面形成填充满所述第一开口的牺牲层，所述牺牲层和第一掩膜层横跨相邻栅极结构，且所述第一掩膜层的材料耐刻蚀性大于牺牲层的材料耐刻蚀性；在所述介质层表面、牺牲层表面以及第一掩膜层表面形成具有第二开口的第二掩膜层，所述第二开口横跨所述牺牲层以及第一掩膜层，且所述第二开口位于相邻栅极结构之间的介质层的上方；以所述第二掩膜层为掩膜，沿所述第二开口刻蚀被牺牲层和第一掩膜层暴露出的介质层，直至暴露出基底表面，在所述相邻栅极结构之间的介质层内形成分立的接触孔；去除所述第一掩膜层、第二掩膜层以及牺牲层；形成填充满所述接触孔的导电插塞。