[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有若干分立的栅极结构，所述基底表面还形成有覆盖栅极结构的介质层，且介质层顶部高于栅极结构顶部；

在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口横跨相邻栅极结构；

在所述第一开口侧壁表面形成第一掩膜层，且所述第一掩膜层横跨相邻栅极结构；

在所述第一掩膜层表面形成填充满所述第一开口的牺牲层，所述牺牲层和第一掩膜层横跨相邻栅极结构，且所述第一掩膜层的材料耐刻蚀性大于牺牲层的材料耐刻蚀性；

在所述介质层表面、牺牲层表面以及第一掩膜层表面形成具有第二开口的第二掩膜层，所述第二开口横跨所述牺牲层以及第一掩膜层，且所述第二开口位于相邻栅极结构之间的介质层的上方；

以所述第二掩膜层为掩膜，沿所述第二开口刻蚀被牺牲层和第一掩膜层暴露出的介质层，直至暴露出基底表面，在所述相邻栅极结构之间的介质层内形成分立的接触孔；

去除所述第一掩膜层、第二掩膜层以及牺牲层；

形成填充满所述接触孔的导电插塞。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在平行于相邻栅极结构排列方向上，所述第一开口的宽度大于或等于相邻栅极结构之间的介质层的宽度。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层位于第一开口的整个侧壁表面。

4.如权利要求1或3所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层还覆盖第一开口的底部表面。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化钛、氮化铜、氮化铝或氮化硼中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一开口的深度为1纳米至25纳米；在平行于相邻栅极结构排列方向上，所述第一掩膜层的宽度为5埃至30埃。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层顶部与介质层顶部齐平。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层以及牺牲层的工艺步骤包括：在所述第一开口底部和侧壁表面、以及介质层顶部表面形成第一初始掩膜；在所述第一初始掩膜表面形成牺牲层，所述牺牲层填充满所述第一开口；去除高于介质层顶部表面的第一初始掩膜以及牺牲层，在所述第一开口侧壁表面形成所述第一掩膜层。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层以及牺牲层的工艺步骤包括：在所述第一开口底部和侧壁表面、以及介质层顶部表面形成第一初始掩膜；采用无掩膜刻蚀工艺回刻蚀所述第一初始掩膜，刻蚀去除位于介质层顶部表面以及位于第一开口部分底部表面的第一初始掩膜，在所述第一开口侧壁表面形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层表面形成填充满所述第一开口的牺牲层，所述牺牲层顶部高于介质层顶部；去除高于所述介质层顶部的牺牲层。

11.如权利要求9或10所述的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述第一初始掩膜。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用流动性化学气相沉积工艺或旋转涂覆工艺形成所述牺牲层。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在平行于相邻栅极结构排列的方向上，所述第二开口的宽度小于或等于相邻栅极结构之间的宽度。