[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610073065.8 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN107026192B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张帅;洪波;吕瑞霖 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体装置的制造方法，涉及半导体领域。该方法包括：提供衬底结构，该衬底结构包括用于器件的一个或多个结构，所述一个或多个结构每一个包括位于衬底中的被沟槽分隔的有源区、位于有源区上的绝缘层、以及位于绝缘层上的硬掩模层，所述一个或多个结构包括用于第一类型器件的第一结构；对第一结构执行第一离子注入；对硬掩模层和绝缘层进行后缩处理，形成后缩的硬掩模层和后缩的绝缘层，从而暴露有源区的边缘角部；对边缘角部进行圆角处理。本发明的制造方法可以使得有源区的边缘角部被圆角处理的更圆滑，减小边缘角部的电场集中效应，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括用于器件的一个或多个结构，所述一个或多个结构每一个包括位于衬底中的被沟槽分隔的有源区、位于有源区上的绝缘层、以及位于绝缘层上的硬掩模层，所述一个或多个结构包括用于第一类型器件的第一结构；对所述第一结构执行第一离子注入；对所述硬掩模层和所述绝缘层进行后缩处理，形成后缩的硬掩模层和后缩的绝缘层，从而暴露所述有源区的边缘角部；以及对所述边缘角部进行圆角处理。
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