[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体结构；去除各第一组鳍片的未被其栅极结构覆盖的露出部分的至少一部分；在各第一组鳍片的剩余部分上执行第一外延生长，形成第一外延体；对第一外延体执行第一退火处理，使得第一外延体的下部体积增加上部体积减小，其中第一外延体在第一退火处理前后都是彼此分离的；在第一外延体上执行第二外延生长，形成第二外延体；对第二外延体执行第二退火处理，使得第二外延体的下部体积增加上部体积减小，其中第二外延体在第二退火处理前后都是彼此分离的。本发明使得器件的应力效应变大，外延体的接触面积变大，接触电阻减小，提高器件性能。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底；突出于所述衬底结构的一个或多个鳍片，所述鳍片包括半导体层，所述半导体层延伸到所述半导体衬底中，所述一个或多个鳍片包括用于形成第一类型器件的第一组鳍片；以及分别包绕所述一个或多个鳍片的一部分的栅极结构；去除各所述第一组鳍片的未被其栅极结构覆盖的露出部分的至少一部分；在各所述第一组鳍片的剩余部分上执行第一外延生长，形成第一外延体；对所述第一外延体执行第一退火处理，使得所述第一外延体的下部体积增加上部体积减小，其中所述第一外延体在所述第一退火处理前后都是彼此分离的；在对所述第一外延体执行第一退火处理之后，在所述第一外延体上执行第二外延生长，形成第二外延体；对所述第二外延体执行第二退火处理，使得所述第二外延体的下部体积增加上部体积减小，其中所述第二外延体在所述第二退火处理前后都是彼此分离的。