[发明专利]用于嵌入式SONOS存储器集成工艺的侧墙结构制造方法

摘要

本发明公开了一种用于嵌入式SONOS存储器集成工艺的侧墙结构，SONOS区域侧墙两层构成，从下至上依次为：厚度为的氮化硅层，厚度为的氧化硅层，其中氮化硅层在栅多晶硅左右为L型。本发明还公开了一种用于嵌入式SONOS存储器集成工艺的侧墙结构制造方法。本发明在保证逻辑区域实施工艺不变的同时，能有效降低SONOS器件的漏电，提高产品良率和可靠性。

主权项

1.一种用于嵌入式SONOS存储器集成工艺的侧墙结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1.在定义好有源区区域之后进炉管生长SONOS区域的ONO层结构的栅氧化层；步骤2.用所述ONO层作为掩模版刻蚀掉SONOS区域以外的部分；步骤3.进入炉管生长逻辑区域的栅氧化层、多晶硅栅极并定义好多晶硅栅极位置，形成SONOS区域以及逻辑区域的器件；步骤4.进入炉管生长厚度为的SONOS区域的侧墙氧化层；进入炉管生长SONOS区域的侧墙膜层，从下往上的膜层分别为氮化硅层，氧化硅层；步骤5.通过侧墙刻蚀定义逻辑区域和SONOS区域的侧墙形貌。