[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法。该TFT阵列基板设置有与主区像素电极(501)、次区像素电极(502)位于同一层的透明导电薄膜电极板(503)、位于第二金属层(M20)的第二金属电极板(202)、及位于第一金属层(M10)的公共电极线(102)，部分公共电极线(102)、第二金属电极板(202)、以及透明导电薄膜电极板(503)在空间上重叠，且透明导电薄膜电极板(503)通过贯穿绝缘保护层(40)和栅极绝缘层(20)的第二过孔(422)与所述部分公共电极线(102)相接触，所述部分公共电极线(102)、第二金属电极板(202)、以及透明导电薄膜电极板(503)共同构成电荷共享电容(C10)，能够提高电荷共享电容的容量，增加开口率，提高液晶显示面板的显示质量。

主权项

一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、及阵列排布于所述衬底基板(10)上的数个子像素单元(P)；每一子像素单元(P)均包括：设于所述衬底基板(10)上图案化的第一金属层(M10)、覆盖所述第一金属层(M10)的栅极绝缘层(20)、设于所述栅极绝缘层(20)上的半导体层(30)、设于所述半导体层(30)和栅极绝缘层(20)上图案化的第二金属层(M20)、覆盖所述第二金属层(M20)和栅极绝缘层(20)的绝缘保护层(40)、以及设于所述绝缘保护层(40)上的图案化的透明导电薄膜层(50)；所述透明导电薄膜层(50)包括：相互独立的主区像素电极(501)、次区像素电极(502)、及透明导电薄膜电极板(503)；所述主区像素电极(501)电性连接主像素开关TFT(T10)、以及电荷共享TFT(T30)，次区像素电极(502)电性连接次像素开关TFT(T20)；所述图案化的第一金属层(M10)包括：主像素开关TFT(T10)、次像素开关TFT(T20)、与电荷共享TFT(T30)的栅极(101)、以及公共电极线(102)；所述图案化的第二金属层(M20)包括：主像素开关TFT(T10)、次像素开关TFT(T20)、与电荷共享TFT(T30)的源/漏极(201)、及第二金属电极板(202)；部分公共电极线(102)、第二金属电极板(202)、以及透明导电薄膜电极板(503)在空间上重叠，且所述透明导电薄膜电极板(503)通过贯穿所述绝缘保护层(40)和栅极绝缘层(20)的第二过孔(422)与所述部分公共电极线(102)相接触，所述部分公共电极线(102)、第二金属电极板(202)、以及透明导电薄膜电极板(503)共同构成该子像素单元(P)的电荷共享电容(C10)；所述电荷共享TFT(T30)电性连接于电荷共享电容(C10)；所述主区像素电极(501)与所述次区像素电极(502)均为米字型结构，包括：一条状的竖直主干、一与竖直主干中心垂直相交的条状的水平主干、以及数个分别与竖直主干或水平主干呈±45°或±135°的条状分支。