[发明专利]电荷捕获型存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610045640.3 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105552081B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王博;吴华强;钱鹤;伍冬;曹堪宇;朱一明 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云;王晓燕 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供一种电荷捕获型存储器及其制备方法。该电荷捕获型存储器包括衬底，以及依次堆叠在所述衬底上的电荷隧穿层、电荷存储层、电荷阻挡层和控制栅极。所述电荷存储层包括设置在所述电荷存储层中的电荷存储层夹层；并且在所述电荷存储层与所述电荷存储层夹层之间的界面处具有电荷捕获陷阱。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 捕获 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电荷捕获型存储器，包括衬底，以及依次堆叠在所述衬底上的电荷隧穿层、电荷存储层、电荷阻挡层和控制栅极，其中所述电荷存储层包括设置在所述电荷存储层中的电荷存储层夹层；并且在所述电荷存储层与所述电荷存储层夹层之间的界面处具有电荷捕获陷阱，所述电荷存储层夹层包括多个分离的岛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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