[发明专利]电荷捕获型存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种电荷捕获型存储器，包括衬底，以及依次堆叠在所述衬底上的电荷隧穿层、电荷存储层、电荷阻挡层和控制栅极，其中

所述电荷存储层包括设置在所述电荷存储层中的电荷存储层夹层；并且

在所述电荷存储层与所述电荷存储层夹层之间的界面处具有电荷捕获陷阱，

所述电荷存储层夹层包括多个分离的岛。

2.根据权利要求1所述的电荷捕获型存储器，其中所述电荷存储层夹层和所述电荷存储层由不同的材料形成。

3.根据权利要求1所述的电荷捕获型存储器，其中所述电荷存储层夹层由绝缘材料形成。

4.根据权利要求1所述的电荷捕获型存储器，其中所述电荷存储层夹层与所述电荷隧穿层和所述电荷阻挡层中的至少一方由相同的材料形成。

5.根据权利要求1所述的电荷捕获型存储器，其中所述电荷存储层夹层为一层，该一层电荷存储层夹层距所述电荷存储层的上表面的距离与该一层电荷存储层夹层距所述电荷存储层的下表面的距离相同。

6.根据权利要求1所述的电荷捕获型存储器，其中所述电荷存储层夹层为多层，该多层电荷存储层夹层彼此隔开并均匀分布在所述电荷存储层中。

7.根据权利要求1所述的电荷捕获型存储器，其中所述电荷存储层夹层为连续的薄膜。

8.根据权利要求1-7任一项所述的电荷捕获型存储器，其中所述电荷存储层由绝缘材料形成。

9.根据权利要求8所述的电荷捕获型存储器，其中所述电荷存储层由氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪或氧化铝铪形成。

10.根据权利要求1-7任一项所述的电荷捕获型存储器，其中

所述电荷存储层由氮化硅形成，并且所述电荷存储层夹层由氧化硅形成。

11.一种电荷捕获型存储器的制备方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成电荷隧穿层；

在所述电荷隧穿层上形成电荷存储层；

在所述电荷存储层上形成电荷阻挡层；并且

在所述电荷阻挡层上形成控制栅极，

其中所述方法还包括：在所述电荷存储层中形成电荷存储层夹层；并且

其中在所述电荷存储层与所述电荷存储层夹层之间的界面处具有电荷捕获陷阱，所述电荷存储层夹层包括多个分离的岛。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其中在所述电荷存储层中形成所述电荷存储层夹层包括：

在所述电荷隧穿层上形成所述电荷存储层的一部分；

在所述电荷存储层的一部分上形成所述电荷存储层夹层；并且

在所述电荷存储层夹层上形成所述电荷存储层的另一部分。

13.根据权利要求11或12所述的制备方法，其中所述电荷存储层夹层通过原子层沉积方法形成。