[发明专利]内连线结构的形成方法在审
| 申请号： | 201610031430.9 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN105679651A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王冠程;施伯铮;柯忠祁;林耕竹;郑双铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金鹏;周滨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种内连线结构的形成方法，在内连线结构的形成中，于介电层内形成金属图形，使用前驱物以及包含碳的碳源气体作为前驱物，在金属图形及介电层之上形成蚀刻停止层，碳源气体中不含有二氧化碳，前驱物则选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组。采用本发明提供的内连线结构的形成方法，实验显示蚀刻停止层具有非常低的介电常数值，其可介于约3.0至约4.0之间。 | ||
| 搜索关键词： | 连线 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种内连线结构的形成方法，包括：提供一介电层；形成一金属图形在该介电层内；以及形成一蚀刻停止层，该蚀刻停止层直接在该金属图形和该介电层上，其中该蚀刻停止层是包括氧掺杂碳化物的单层，其中该蚀刻停止层使用多个前驱物，该前驱物包括：一前驱物，选自于由1‑甲基硅烷、2‑甲基硅烷、3‑甲基硅烷、4‑甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组中；以及一含有碳的碳源气体，其中，该碳源气体包括C2H4，其中该碳源气体中不含二氧化碳。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610031430.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：分离装置及分离方法
- 下一篇：嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
