[发明专利]内连线结构的形成方法

权利要求书

1.一种内连线结构的形成方法，包括：

提供一介电层；

形成一金属图形在该介电层内；以及

形成一蚀刻停止层，该蚀刻停止层直接在该金属图形和该介电层上， 其中该蚀刻停止层是包括氧掺杂碳化物的单层，其中该蚀刻停止层使用多 个前驱物，该前驱物包括：

一前驱物，选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅 烷以及前述的组合所组成的群组中；以及

一含有碳的碳源气体，其中，该碳源气体包括C₂H₄，其中该碳源气体 中不含二氧化碳。

2.如权利要求1所述的内连线结构的形成方法，还包括：

形成一低介电常数介电层在该蚀刻停止层之上；以及

形成一金属线及一导孔在该低介电常数介电层内，其中该金属线及该 导孔与该金属图形电性耦接。

3.如权利要求1所述的内连线结构的形成方法，其中该蚀刻停止层与 该金属图形及该介电层接触。

4.一种内连线结构的形成方法，包括：

形成一第一金属线，该第一金属线从一第一低介电常数介电层的顶表 面延伸至该第一低介电常数介电层中，其中，该第一低介电常数介电层在 一基底上；以及

形成一蚀刻停止层，该蚀刻停止层直接在该第一金属线和该第一低介 电常数介电层上并接触该第一金属线和该第一低介电常数介电层，其中该 蚀刻停止层是单层，并且其中在形成该蚀刻停止层的步骤中使用的前驱物 包括碳源气体、含硼气体以及含有硅与碳的额外前驱物。

5.如权利要求4所述的内连线结构的形成方法，其中该额外前驱物选 自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合 所组成的群组中。

6.如权利要求4所述的内连线结构的形成方法，其中该碳源气体还含 有氢。

7.如权利要求6所述的内连线结构的形成方法，其中该碳源气体为 C_xH_y，且其中x与y的值大于0。

8.如权利要求7所述的内连线结构的形成方法，其中该碳源气体为 C₂H₄。

9.如权利要求4所述的内连线结构的形成方法，还包括：

形成一第二低介电常数介电层在该蚀刻停止层上；以及

形成一第二金属线及一导孔在该第二低介电常数介电层内，其中该第 二金属线及该导孔与该第一金属线电性耦接。

10.如权利要求9所述的内连线结构的形成方法，还包括：

形成一四乙氧基硅烷氧化层在该蚀刻停止层与该第二低介电常数介电 层之间。