[发明专利]垂直存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供了垂直存储装置及其制造方法，所述制造方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的基底；在单元阵列区域中形成成型结构；形成穿过成型结构并且沿着与基底的顶表面垂直的第一方向延伸的用于共源线的开口；在用于共源线的开口中形成具有限定凹进区域的内侧壁的第一接触塞；以及形成电连接到第一接触塞的内侧壁的共源位线接触件。

主权项

1.一种制造垂直存储装置的方法，所述方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的基底；在单元阵列区域中形成堆叠结构；形成穿过堆叠结构并且沿着与基底的顶表面垂直的第一方向延伸的用于共源线的开口；在用于共源线的开口中形成具有覆盖所述开口的底表面和侧壁的外侧壁以及限定凹进区域的内侧壁的第一接触塞，外侧壁包括面对堆叠结构的第一部分；以及形成电连接到第一接触塞的内侧壁的共源位线接触件。