[发明专利]垂直存储装置及其制造方法

说明书

本发明提供了垂直存储装置及其制造方法，所述制造方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的基底；在单元阵列区域中形成成型结构；形成穿过成型结构并且沿着与基底的顶表面垂直的第一方向延伸的用于共源线的开口；在用于共源线的开口中形成具有限定凹进区域的内侧壁的第一接触塞；以及形成电连接到第一接触塞的内侧壁的共源位线接触件。

本申请要求于2015年1月14日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0006980号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用被完全包含于此。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及垂直存储装置及其制造方法，更具体地讲，涉及具有垂直于基底的顶表面的通道的垂直存储装置及其制造方法。

背景技术

为了促进存储装置的高集成度，已经进行了昂贵的研究来开发存储单元垂直于基底的顶表面堆叠的垂直存储装置。垂直存储装置包括：柱形形状或圆柱形的通道，从基底的顶表面垂直地突出；多条栅极线，接触通道；共源线接触塞，分开多条栅极线。垂直存储装置还包括将栅极线与共源线接触塞电绝缘的分离膜图案。在用于共源线的开口中制造共源线接触塞的过程中，可以在共源线接触塞的内部中形成空隙。在形成接触塞的过程中形成的副产气体会限制在空隙中。在分离膜图案因所述气体而融化的情况下，接触塞和栅极线之间会出现电短路。另外，由于限制在空隙中的气体，使得接触塞的顶表面会沿着垂直于基底的顶表面的方向膨胀。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了具有改善的可靠性的垂直存储装置。

本发明构思的其它示例实施例提供了制造具有改善的可靠性的垂直存储装置的方法。

根据本发明构思的一些示例实施例，提供了一种制造垂直存储装置的方法，所述方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的基底；在单元阵列区域中形成成型结构；形成穿过成型结构并且沿着与基底的顶表面垂直的第一方向延伸的用于共源线的开口；在用于共源线的开口中形成具有限定凹进区域的内侧壁的第一接触塞；以及形成电连接到第一接触塞的内侧壁的共源位线接触件。

可以执行形成第一接触塞的步骤，使得第一接触塞包括在用于共源线的开口的入口附近的凹进区域的开放通道，所述方法还可以包括在形成第一接触塞之后，通过开放通道将凹进区域中的气体排出到凹进区域外部。

可以执行形成用于共源线的开口的步骤，使得用于共源线的开口沿着与第一方向垂直的第二方向延伸，执行形成第一接触塞的步骤使得第一接触塞沿着第二方向延伸。

所述方法还可以包括，在排出凹进区域中的气体之后：在凹进区域中形成沿着第二方向延伸的掩埋膜图案；通过部分地去除掩埋膜图案来暴露凹进区域中的第一接触塞的内侧壁的一部分；以及在掩埋膜图案上形成接触凹进区域中的暴露的内侧壁并且沿着第二方向延伸的第二接触塞，形成共源位线接触件的步骤还可以包括：在基底上形成上绝缘膜；以及形成穿过上绝缘膜并电连接到第一接触塞和第二接触塞的共源位线接触件。

可以执行形成第二接触塞的步骤，使得第二接触塞接触第一接触塞的内侧壁和掩埋膜图案的顶表面，并且第二接触塞的顶表面位于与第一接触塞的顶表面基本相同的平面上，可以执行形成共源位线接触件的步骤，使得共源位线接触件与第一接触塞和第二接触塞接触，所述方法还可以包括，在形成共源位线接触件之后，形成电连接到共源位线接触件的共源位线。

所述方法还可以包括在排出凹进区域中的气体之后：在凹进区域中在第一接触塞上形成沿着第二方向延伸的势垒膜图案；以及在势垒膜图案上形成沿着第二方向延伸的第二接触塞，形成共源位线接触件的步骤还可以包括：在基底上形成上绝缘膜；以及形成穿过上绝缘膜并电连接到第一接触塞和第二接触塞的共源位线接触件。

可以执行形成共源位线接触件的步骤，使得共源位线接触件接触第一接触塞、势垒膜图案和第二接触塞的各个顶表面，所述方法还可以包括，在形成共源位线接触件之后，形成电连接到共源位线接触件的共源位线。