[发明专利]一种高通量湿法化学组合材料芯片制备装置以及制备方法有效
申请号: | 201610023479.X | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105671521B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 闫宗楷;向勇;李光;崔宇星;蒋赵联 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C23C18/00 | 分类号: | C23C18/00;H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种高通量湿法化学组合材料芯片制备装置以及制备方法,包括温控箱,温控箱内设有支撑架,支撑架上设有废液池,废液池的竖直上方设有反应池,反应池的底部设有池底排液口,池底排液口处设有排液速度控制器,反应池的竖直上方设有溶液池,溶液池的底部设有加液口,加液口处设有加液速度控制器,反应池的竖直上方设有垂直提升器,垂直提升器通过提升线固定连接有夹具,还包括检测装置。本发明可用于包含稀土元素等在大气环境下不稳定、其氧化物又不宜制成靶材的材料的高通量组合材料芯片的制备;反应过程温度较低,通过控制反应溶液温度进一步降低基底温度,防止制备过程中基底温度过高生成中间化合物,阻止扩散的进一步进行。 | ||
搜索关键词: | 一种 通量 湿法 化学 组合 材料 芯片 制备 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种高通量湿法化学组合材料芯片制备装置,其特征在于,包括温控箱(1),所述温控箱(1)内设有支撑架(2),所述支撑架(2)上设有废液池(3),所述废液池(3)的竖直上方设有反应池(4),所述反应池(4)的底部设有池底排液口(5),所述池底排液口(5)处设有排液速度控制器(6),所述反应池(4)的竖直上方设有溶液池(7),所述溶液池(7)的底部设有加液口(8),所述加液口(8)处设有加液速度控制器(9),所述反应池(4)的竖直上方设有垂直提升器(10),所述垂直提升器(10)通过提升线(11)固定连接有用于固定组合材料芯片前驱体(18)的夹具(12),还包括用于监测反应池(4)内溶液浓度的检测装置(13)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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